「CMOSアナログ回路入門」正誤表

本書に以下の誤りがありました.
内容を訂正し,深くお詫び申し上げます.

【初版から第3版共通】 【第2版の訂正】
【2005年3月1日 第2版および2005年1月1日 初版の訂正】【2005年1月1日 初版の訂正】


--初版から第3版共通--

page

誤・変更前

正・変更後

p.33 上から1行目 図1-4(a) 図1-6(a)
p.57 図3-9の解説 (gmro)ro程度以上 (gmro)ro程度
p.101 上から2行目 VGS1 VDS1
p.127 上から14-15行目 高精度でデータ比較 「高精度」を削除
p.134 上から5行目 Vout,n Vout,n
p.139 上から2-3行目 ソース-ドレイン間容量 ゲート-ドレイン間容量
p.157 上から7-8行目 避けれません 避けられません
p.218 上から4-5行目 用途に応じてが使い分け 用途に応じて使い分け
p.230 上から4-5行目 図13-4(a) 図13-4
p.235 上から17行目 ハンドパス・フィルタ バンドパス・フィルタ
p.243 式(13.11) H(s) = Gin・・・ H(s) = -Gin
p.252 上から3-4行目 図13-21 図13-24
p.254 式(14.6) (分子)C1C3s2 + C1C3s + … C1C3s2 + C1G3s + …
p.263 上から8行目 図13-21 図13-24
p.278 上から8-9行目 周期はfs/N 周波数はfs/N (周期はN/fs
p.324 上から14行目 左側の電極に電荷-CVref 下側の電極に電荷+CVref



--第2版の訂正 --

page

誤・変更前

正・変更後

p.61 図G-2 vs=vs+idZs vs=v*s+idZs
p.65 図4-2中 20dB/dec -20dB/dec
p.69 図4-6中 20dB/dec -20dB/dec
p.73 下から4行目 Ao=gmReff Ao=-gmReff
p.78 下から5行目 VDS<GS-VT VDS>GS-VT
p.92 上から8行目 カード ガード
p.103 上から4行目 電圧をvin 電圧vin
p.104 上から8行目 図6-6 図6-5
p.112 最終行 gm4ro2 gm4ro4
p.140 下から3行目 式(8.7) 式(8.5)
p.193 図11.16 M6 40/1 M6 80/1
p.204 下から12行目 図11-4を 図11-5を
p.210 下から7行目 (M13〜M17) (M14〜M18)
p.243 上から10行目 (点線の枠の中) (灰色の部分)
p.250 図14-4、図14-5 (G/C)βF1s (C/G)βF1s
p.286 図16-10 上の□の中のz-1 z-2
p.286 図16-10 2次のノイズ・シェーピング 3次のノイズ・シェーピング
p.307 下から6行目 MBS MSB
p.308 下から2行目 構成構成 構成
p.309 図17-15中 (C1+Cf)Vin±C1Vref [(C1+Cf)Vin±C1Vref]/Cf
p.329 上から6行目 図18-15 図18-16
p.332 索引 LNA……257 LNA……258



--2005年3月1日 第2版および2005年1月1日 初版の訂正 --

page

誤・変更前

正・変更後

p.54 6行目 √2I/β √(2I/β)
※ルートの中にβまで入る
p.100 式(6.1),式(6.2),式(6.3) VTp VTp
p.167 表10-1欄外右下 K = 1 + β K = 1 + βA
p.167 最後の行 電流源 帰還電圧源
p.219 図12-24 M5Cの間のスイッチは不要.結線.
p.219 図12-25 図面上部のφ1とφ2を入れ替え
p.251 10行目 図13-18(b) 図13-21(b)
p.254 図14-11(a) G3sG3 G3sC3
p.254 3行目 分母 分子
p.254 式(14.6)
分母第1項
C1(C2C4)s2 C1C2s2



--2005年1月1日 初版の訂正 --

page

誤・変更前

正・変更後

p.19 図1.2
"もや"の濃度
  上から下に向かって濃く
p.32 図2.2
図中の丸(●)
削除
p.38 下から3行目 式(2.4)より 削除
p.42 図2-10
直流等価回路 小信号等価回路
p.44 図E-2
湖と川底の部分にある電子濃度
  上から下に向かって濃く
p.51 図3-3
右図の抵抗の下
  「↓」(接地)
p.55 最後の行
iout id
p.59 表3-2
(a)
1
m
p.61 式(G.6)と図G-2 iO id
p.65 2行目 ほぼ1で ほぼ1(=0dB)で
p.70 10行目 使った回路では, 使った回路では,式(2.4)と式(2.6)より
p.75 2行目 電圧利得Ao=gm1/gm2 電圧利得Aogm1/gm2
p.103ページの式(6.10)
p.104 下から4行目 (コラムFの式(F.4)参照) (コラムGの式(G.4)参照)
p.120 11行目 R2/R1を20倍程度 (R2/R1)ln(K)を20倍程度
p.135 下から3行目 n < 4 n ≦ 4
p.137 式(N.3) 積分記号の中
p.139 7行目 Bのテイル電流 Aのテイル電流
p.146 6行目 コラムK参照 コラムO参照
p.153 下から4行目 =|β1-β2 β1-β2
p.206 図12-10 (a)AB級バッファ回路 (a)A級バッファ回路
p.206 図12-10の説明 (a)と(c)はAB級出力バッファ回路,(b)はB級出力バッファ回路である. (a)はA級出力バッファ回路,(b)はB級出力バッファ回路,(c)はAB級出力バッファ回路である.
p.209 図12-12 フィードフォワード型 フィードバック型
p.216 図12-20 この方式では自動的に この方式ではp1が小さくなると自動的に
p.222 図12-28 最大値はVDD−4VDsat 最大値は2VDD−8VDsat
p.278 下から6行目 ローパス間引き 間引き
p.304 図17-10 抵抗分割して2N-1個の 抵抗分割して2N個の
p.322 8行目 温度計コードを使う 温度計コードと併用して使う
p.329 最後の行 異なっており,オーバサンプリング技術が採用されているのです. 異なっており,第16章で述べたオーバサンプリング技術を駆使したΔ-Σ型のD-Aコンバータが用いられているのです.
p.331の参考文献に追加 (9) R. Gregorian and G. C. Temes; Analog MOS Integrated Circuit for signal processing, John Wiley & Sons, 1986.
(10) K. R. Laker and W. M.C.Sansen; Design of analog integrated circuits and systems, McGraw-Hill, 1994.
(11) B. Razavi(著), 黒田忠広(編訳);アナログCMOS集積回路の設計 基礎編,丸善, 2003年.
(12) 式部幹,高橋宣明,岩田穆,国枝博昭;スイッチトキャパシタ回路, 現代工学社,1985年.
(13) W. K. Chen; Analog circuits and devices, CRC Press, 2003.
(14) R. Schaumann and M.E. van Valkenburg, Design of analog filters, Oxford University Press, 2001.




「CMOSアナログ回路入門」のページへ戻る

CQ出版社のトップページへ戻る


Copyright 1997-2017 CQ Publishing Co.,Ltd.

sales@cqpub.co.jp