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DRAM (Dynamic Random Access Memory,ダイナミック・ラム,ディーラム)

 情報の記憶にダイナミック型のメモリ・セルを使用したメモリIC.この素子の性能は,現在の半導体技術を示す一つの尺度でもある.
 ダイナミック型セルは,一つのトランジスタと小容量キャパシタから構成され,キャパシタの電荷の有無によってデータを保持する.
 たとえばキャパシタが充電されている状態をデータ1とし,反対に放電している状態をデータ0とする.充電された電荷は時間とともに減衰していく.これがダイナミック(動的)の名前のゆえんである.このために,一定時間ごとにセルを元の状態に戻す必要がある.これをリフレッシュと呼ぶ.
 メモリ・セルの構造が簡単なためチップ面積が縮小でき,高集積大容量のRAMができる.
 使う場合は,リフレッシュ用のコントロール回路をシステム側に用意しなければならない.
 もっとも一般的な汎用メモリとして,電子計算機の主記憶装置のような大容量システムから,OA機器,パーソナル・コンピュータ,ゲーム機器の小容量システムに至るまで広範囲に利用されている.

 


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