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POWER ELECTRONICS シリーズ 【シリーズ一覧へ】

MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子

パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際

五十嵐 征輝 編著
A5判 184ページ
定価2,592円(税込)
JAN9784789836098

2011年4月1日発行

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■見本PDF(6708K)

 IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)は,MOS FETとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー・デバイスです.パワー・デバイスとは,電源やモータ制御などのように電力を消費する電子回路で使用される半導体素子で,エアコンや冷蔵庫のコンプレッサなどの小容量の機器から電車のモータ駆動装置のような大容量のものまで,我々の周りのいろいろな電気機器に使われています.
 本書は,このIGBTの活用方法について詳細に解説しています.


目次

第1章 IGBT の基礎知識

第2章 ゲート・ドライブ回路の設計

第3章 保護回路の設計と並列接続

第4章 放熱設計方法

第5章 ノイズ低減対策技術

第6章 トラブル発生時の対処方法

第7章 インテリジェント・パワー・モジュールIPM



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