ダイオード/MOSFET/IGBTの基礎から最新デバイスの性能評価まで
保存版★パワー・デバイス活用入門 |
カラー・プリビュー
破壊したパワーMOSFETの内部写真 |
高川 恭一 |
382Kバイト |
第1章 整流用から高速スイッチング用まで
パワー・ダイオードの基本特性と選定 |
橋詰 伸一 |
217Kバイト |
第2章 パワーMOSFETの現状と近未来
パワーMOSFETの構造と応用分野 |
高川 恭一 |
227Kバイト |
第3章 データシートを読み解き正しい使い方をマスタしよう!
パワーMOSFETの電気的特性 |
高川 恭一 |
227Kバイト |
第4章 エネルギ耐量オーバーや寄生発振，静電による破壊から守るために
パワーMOSFETのトラブル対策 |
高川 恭一 |
223Kバイト |
第5章 20kHz以下のスイッチング・パワー回路に好適なデバイス
IGBTの基礎とトラブル対策 |
田久保 拡 |
228Kバイト |
第6章 低ON抵抗，高電流密度，大電流対応の最新デバイス
GTBTのしくみと特徴 |
岡田 哲也/岡田 喜久雄/山本 眞一/吉田 哲哉 |
340Kバイト |
第7章 最新の高効率パワー・トランジスタをスイッチング電源に組み込み実力を見る
GTBTとバイポーラ・トランジスタとの比較評価実験 |
馬場 清太郎 |
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